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IRLR/U2703
1000
800
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss =C ds +C gd
15
12
I D = 14A
V DS = 24V
V DS = 15V
C iss
600
400
200
C oss
C rss
9
6
3
FOR TEST CIRCUIT
0
A
0
SEE FIGURE 13
A
1
10
100
0
4
8
12
16
20
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 175°C
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10μs
T J = 25°C
10
100μs
10
1ms
V GS = 0V
1
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0 2.4
A
1
1
T C = 25°C
T J = 175°C
Single Pulse
10
10ms
A
100
4
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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